В России нашли способ работы с черным фосфором для создания электроники

Специалист кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ) Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» Семен Хахулин сообщил, что ученые вуза представили новый способ эффективной работы с черным фосфором — перспективным материалом для создания электроники.

Черный фосфор обладает уникальными свойствами, которые делают его потенциально важным для разработки компактных и высокопроизводительных электронных устройств. Однако для его промышленного использования необходимы новые методы исследования и тестирования, отметил Семен Хахулин.

Ученые из ЛЭТИ разработали метод, который позволяет тестировать черный фосфор как полупроводник, что открывает новые возможности для создания передовой электроники. Используя фурье-спектрометр, исследователи измеряют характеристики инфракрасного излучения и сигналов кристалла, что позволяет получить наиболее точные данные о его свойствах.

По словам Хахулина, разработанный метод не только поможет в работе с черным фосфором, но и позволит исследовать другие перспективные полупроводниковые материалы. Это станет важным шагом в развитии компактной и эффективной электроники на основе новых физических принципов.